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時(shí)間:2014-05-19 10:05:13
作者:世邦機(jī)器
工作原理及分類:反擊式破碎機(jī)是利用高速?zèng)_擊和反擊作用將大塊固體物料破碎成小塊的一種高效能的破碎機(jī)械,它廣泛用于建材、化工、煤炭、有色金屬等廠礦中。它的工作原理如下:
反擊式破碎機(jī)主要由轉(zhuǎn)子、板錘、前列級(jí)反擊板、第二級(jí)反擊板以及機(jī)體等組成,物料由進(jìn)料口加入,進(jìn)料口內(nèi)設(shè)鏈幕,用以防止破碎物料時(shí)料塊飛出機(jī)外。機(jī)體下端是敞開(kāi)的,不裝篦條或隔柵,破碎后的成品即由此排出。板錘剛性地固裝在轉(zhuǎn)子上,機(jī)內(nèi)裝有兩道反擊板,反擊板的一端鉸接在機(jī)殼上,另一端則自由地懸掛在拉桿上。當(dāng)機(jī)器內(nèi)進(jìn)入不能破碎的物料時(shí)反擊板因受到較大的壓力而使拉桿向后移開(kāi),使板錘與反擊板之間間隙增大,物料得以通過(guò)并排出機(jī)外,從而保證了機(jī)器不受損壞。石膏生產(chǎn)線物料進(jìn)入破碎機(jī)后,受到高速飛轉(zhuǎn)的板錘的沖擊而破碎,并被拋向反擊板,再次受到撞擊然后又反彈回到板錘回轉(zhuǎn)空間中來(lái),又受到板錘的沖擊而被重新破碎,在此期間還有物料彼此互相的撞擊,如此反復(fù)循環(huán),物料在板錘、反擊板的多次沖擊以及物料之間的相互撞擊等作用下,不斷地產(chǎn)生裂縫、松散而逐漸破碎,直到破碎后的粒度小于板錘與反擊板之問(wèn)的問(wèn)隙時(shí),成品即從機(jī)體下端排出。反擊式破碎機(jī)可分為單轉(zhuǎn)子和雙轉(zhuǎn)子兩類。單轉(zhuǎn)子反擊式破碎機(jī)結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,破碎比校它又可分為轉(zhuǎn)子單向轉(zhuǎn)動(dòng)和可逆轉(zhuǎn)動(dòng)兩種。雙轉(zhuǎn)子反擊式破碎按轉(zhuǎn)子的布置和旋轉(zhuǎn)方向又可分為三類:
兩轉(zhuǎn)子反向旋轉(zhuǎn),相當(dāng)于兩個(gè)單轉(zhuǎn)子反擊式破碎機(jī)并聯(lián)使用,石膏粉設(shè)備能破碎顆粒大的物料,可作為大型破碎機(jī)進(jìn)行粗碎和中碎之用;
兩轉(zhuǎn)子上下平行錯(cuò)列,且有高差,并作反向旋轉(zhuǎn),這種破碎機(jī)除了板錘對(duì)物料錘擊作用外還利用板錘對(duì)物料的反向拋擲增加了物料自相撞擊的機(jī)會(huì),所以功率消耗較少,零部件的磨損少;
兩轉(zhuǎn)子同向旋轉(zhuǎn),平行排列,相當(dāng)于兩個(gè)單轉(zhuǎn)子串聯(lián)使用,前列個(gè)轉(zhuǎn)子用粗碎,第二個(gè)轉(zhuǎn)子用于細(xì)碎,其破碎比大、產(chǎn)量高、產(chǎn)品粒度均勻,但功率消耗也大。
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破碎機(jī)磨粉機(jī)制砂機(jī)洗砂機(jī)振動(dòng)篩移動(dòng)破碎站顎式破碎機(jī)圓錐式破碎機(jī)雷蒙磨粉機(jī)河卵石制砂機(jī)振動(dòng)給料機(jī)皮帶機(jī)
美國(guó)的地質(zhì)學(xué)家認(rèn)為,地下回流對(duì)石膏或硬石膏的形成至關(guān)重要。如果一個(gè)海水水體進(jìn)行蒸發(fā)而新的海水又不斷加入,即回流,保持這個(gè)水體的原有體積不變,鹽水不久就會(huì)變濃至一定程度使鹽巖沉淀。
石膏粉中游離水過(guò)高,粉料就有結(jié)塊的傾向。沸騰爐中設(shè)有強(qiáng)制性的攪拌裝置,有限的氣流無(wú)法將成團(tuán)的濕料吹散,則流態(tài)化就維持不下去。因此原料中游離水的含量不能過(guò)高,應(yīng)控制在5%以內(nèi)。
硫鋁酸鹽水泥與硅酸鹽水泥和鋁酸鹽水泥較根本的區(qū)別在于其熟料主要是無(wú)水硫鋁酸鈣,占組分的55%~75%。
陶瓷廢模石膏的質(zhì)量,陶瓷廢模石膏的主要成分為二水石膏,一般純度較高,自由水含量5%左右,含有一定量的硫酸鈉雜質(zhì)和無(wú)水石膏。
光電選礦用于石膏工業(yè)始于20世紀(jì)60年代的英國(guó),石膏加工選別粒徑為5.20 mm,礦石通過(guò)光電分選后使石膏含量由30%提高到80%。
學(xué)者對(duì)CaSQ和NaCl對(duì)石膏的水化性能影響進(jìn)行了研究,得出結(jié)論:水中如果含有Ca2+或Na+離子,石膏漿體凝結(jié)時(shí)間可縮短30%。他認(rèn)為,石膏粉碎機(jī)生產(chǎn)的二水石膏晶體生長(zhǎng)速度依賴于Caz+和SO4―離子向晶體表面擴(kuò)散的速度。
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